Skip to content

Гост рв 20.57.414.1

Скачать гост рв 20.57.414.1 rtf

Настоящий нормативный документ по стандартизации ракетно-космической техники распространяется на радиоэлектронную аппаратуру, приборы, устройства и оборудование космических аппаратов и устанавливает методы испытаний применяемых в них цифровых сверхбольших интегральных микросхем на воздействие отдельных высокоэнергетических протонов и тяжелых заряженных частиц космического пространства на ускорителях заряженных частиц в части одиночных сбоев в элементах памяти и регистровых структурах, одиночного эффекта прерывания функционирования, одиночного тиристорного и микродозового эффектов.

Ионы и ядра любого химического элемента с зарядом ядра более 1 и энергией более 1 МэВ на нуклон. Любое нарушение в функционировании или отказ изделия полупроводниковой электроники, вызванное взаимодействием одиночного высокоэнергетического протона или одиночной тяжелой заряженной частицы с материалом чувствительной области изделия. Необратимый отказ изделия полупроводниковой электроники, вызванный взаимодействием одиночного высокоэнергетического протона или одиночной тяжелой заряженной частицы с материалом чувствительной области изделия.

Любой самоустраняющийся отказ изделия полупроводниковой электроники, вызванный взаимодействием одиночного высокоэнергетического протона или одиночной тяжелой заряженной частицы с материалом чувствительной области изделия. Инвертирование логического состояния бистабильных цифровых схемотехнических элементов и элементов памяти любых других типов, вызванное взаимодействием отдельного одного высокоэнергетического протона или отдельной одной тяжелой заряженной частицы с материалом чувствительной области элемента.

Отказ изделия полупроводниковой электроники, обусловленный включением паразитных четырехслойных полупроводниковых структур тиристорных структур вследствие взаимодействия одиночного высокоэнергетического протона или одиночной тяжелой заряженной частицы с материалом чувствительной области изделия.

Данный отказ, как правило, сопровождается резким возрастанием тока потребления и полной или частичной потерей работоспособности изделия и восстановлением работоспособности после отключения и повторном включении питания в случае отсутствия пережогов и пробоев р-п переходов.

Принудительно восстанавливаемый отказ изделия полупроводниковой электроники, который вызывает потерю функционирования изделия, для восстановления которого требуется перезагрузка выполняемой программы или конфигурации, и обусловленный возникновением одиночных сбоев в элементах памяти или регистровых структурах блоков управления вследствие взаимодействия одиночного высокоэнергетического протона или одиночной тяжелой заряженной частицы с материалом чувствительной области изделия.

Отказ отдельного транзистора или элемента памяти изделия полупроводниковой электроники, связанный с локальным накоплением радиационно-индуцированного заряда в подзатворных и изолирующих диэлектриках. Количество частиц, проникающих в элементарную сферу за единицу времени, отнесенное к площади центрального сечения этой сферы.

Отношение потока флюенса частиц за определенный интервал времени к этому интервалу времени. Количество частиц, проникаюших в элементарную сферу в выделенном направлении телесного угла, отнесенное к площади центрального сечения этой сферы. Количество параллельно распространяющихся частиц, пересекаюших перпендикулярную к направлению движения частиц плоскую поверхность, отнесенное к площади этой поверхности.

Поток частиц, в котором все направления распространения частиц равновероятны. Число наблюдаемых сбоев или отказов определенного типа при воздействии мононаправленного потока высокоэнергетических протонов или тяжелых заряженных частиц с известным углом падения на полупроводниковый кристалл интегральной микросхемы, отнесенное к мононаправленному потоку частиц. Микрообъемы элементов изделия, в которых при генерации радиационно-индуцированного заряда выше критической величины возникает одиночный радиационный эффект.

FAQ Обратная связь Вопросы и предложения. Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права?

Изделия электронной техники, квантовой электроники и электротехнические военного назначения. Методы оценки соответствия требованиям надежности: Расширенный поиск Профессиональный поиск Заполните необходимые поля: Все поля Автор Заглавие Содержание.

Или введите идентификатор документа: Справка о расширенном поиске. Поиск по определенным полям Чтобы сузить результаты поисковой выдачи, можно уточнить запрос, указав поля, по которым производить поиск.

txt, PDF, PDF, djvu

Похожее:


  • Правила установки сильфонных компенсаторов гост снип
  • Гост 19496-93
  • Провод пв-3 гост ту
  • Гост 14695 80 скачать
  • Гост класс изоляции
  • Гост 23781-87 газы горючие природные
  • Гост 2104-95
  • Гост 15467-79 управление качеством продукции 2015